La expresión general para la pendiente del subumbral pendiente del subumbral La pendiente del subumbral es una característica de la característica de corriente-voltaje de un MOSFET. En la región del subumbral, el comportamiento de la corriente de drenaje, aunque está controlado por el terminal de puerta, es similar a la corriente decreciente exponencial de un diodo con polarización directa. https://en.wikipedia.org › wiki › Subthreshold_slope
Pendiente subumbral - Wikipedia
(swing) es S=(d(log10Ids)/dVgs)-1. O de la gráfica anterior, con Vgs muy bajos, tome la derivada de los valores logarítmicos de Ids con respecto a Vgs y luego invierta el valor resultante.
¿Qué se entiende por oscilación subumbral?
La oscilación del subumbral se define como el voltaje de puerta requerido . para cambiar la corriente de drenaje en un orden de magnitud, uno . década. En el MOSFET, la oscilación del subumbral es limitada. a (kT/q) ln10 o 60 mV/dec a temperatura ambiente y con.
¿Qué es el factor de pendiente subumbral?
La pendiente del subumbral es una característica de la característica de corriente-voltaje de un MOSFET . … Una dec (década) corresponde a un aumento de 10 veces de la corriente de drenaje ID. Un dispositivo caracterizado por una pendiente subumbral pronunciada exhibe una transición más rápida entre los estados apagado (corriente baja) y encendido (corriente alta).
¿Cuál es la importancia de la oscilación por debajo del umbral?
La oscilación del subumbral es un parámetro importante enmodelado del régimen de inversión débil, especialmente para aplicaciones analógicas de alta ganancia, circuitos de imágenes y aplicaciones de bajo voltaje.
¿Cómo varía la corriente subumbral con el voltaje de puerta?
Esa reducción significa que el voltaje de la compuerta oscila menos por debajo del umbral para apagar el dispositivo y, dado que la conducción subumbral varía exponencialmente con el voltaje de la compuerta (consulte MOSFET: modo de corte), se vuelve cada vez más significativa a medida que los MOSFET se reducenen tamaño.
