Absorción intrínseca se refiere a la absorción que implica sitios de captura de impurezas creados al precipitar oxígeno supersaturado fuera de la oblea de silicio. La precipitación de oxígeno sobresaturado crea grupos que crecen continuamente, introduciendo tensión en la oblea cuando esto sucede.
¿Qué está obteniendo silicio?
La obtención se define como un proceso mediante el cual las impurezas metálicas en la región del dispositivo se reducen localizándolas en regiones pasivas predeterminadas de la oblea de silicio.
¿Qué es la captación extrínseca?
Absorción extrínseca se refiere a absorción que utiliza medios externos para desarrollar el daño o la tensión en la malla de silicona de tal manera que se producen los defectos extensos necesarios para atrapar las impurezas. Estos sitios de captura químicamente sensibles se encuentran comúnmente en la parte posterior de la oblea.
¿Cuál es la diferencia entre obtención intrínseca y extrínseca?
Captación extrínseca: se refiere a la captación que utiliza medios externos para crear el daño o la tensión en la red de silicio de tal manera que se forman los defectos extensos que se necesitan para atrapar las impurezas. … Obtención intrínseca: se refiere a la obtención que utiliza oxígeno que ya está presente en el cristal.
¿Qué es conseguir? ¿Cómo es útil en el método CZ?
El método Czochralski, también técnica Czochralski o proceso Czochralski, es un método de crecimiento de cristales utilizado paraobtener monocristales de semiconductores (p. ej., silicio, germanio y arseniuro de galio), metales (p. ej., paladio, platino, plata, oro), sales y piedras preciosas sintéticas.
